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WNSC2D12650TJ

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

compliant

WNSC2D12650TJ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.60000 $3.6
500 $3.564 $1782
1000 $3.528 $3528
1500 $3.492 $5238
2000 $3.456 $6912
2500 $3.42 $8550
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 12A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.7 V @ 12 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 60 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 380pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 5-DFN (8x8)
動作温度 - 接合部 175°C
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関連部品番号

BAT42W-7-F
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$0 $/ピース
NTE517
NTE517
$0 $/ピース
PMEG60T10ELR-QX
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$0 $/ピース
1N1203B
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$0 $/ピース
PX1500J
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$0 $/ピース
SXM36V_R1_00001
UF1008F_T0_00001
US1GWF-7
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$0 $/ピース

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