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WNSC2D201200WQ

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

非準拠

WNSC2D201200WQ 価格と注文

単価 外貨価格
1 $8.68000 $8.68
500 $8.5932 $4296.6
1000 $8.5064 $8506.4
1500 $8.4196 $12629.4
2000 $8.3328 $16665.6
2500 $8.246 $20615
2975 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 1200 V
電流 - 平均整流 (io) 20A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.8 V @ 20 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 200 µA @ 1200 V
静電容量 @ vr、f 845pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-2
動作温度 - 接合部 175°C
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