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WNSC6D08650Q

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

非準拠

WNSC6D08650Q 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
2990 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
ダイオード型 Silicon Carbide Schottky
電圧 - 直流逆電圧 (vr) (最大) 650 V
電流 - 平均整流 (io) 8A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if 1.4 V @ 8 A
スピード No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr) 0 ns
電流 - 逆方向漏れ @ vr 50 µA @ 650 V
静電容量 @ vr、f 402pF @ 1V, 1MHz
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AC
動作温度 - 接合部 175°C
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関連部品番号

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JANTXV1N3673A
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FR606T-G
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S3D03065L
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