ichome.comへようこそ！
| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| FETタイプ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 51A |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 27.9mOhm @ 30A, 15V |
| vgs(th) (最大) @ id | 3.6V @ 17.7mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 162nC @ 15V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 4.9nF @ 800V |
| パワー - 最大 | 10mW |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。