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AOD3N80

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MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252

AOD3N80 データシート

compliant

AOD3N80 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.59202 -
10 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 510 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SIDR500EP-T1-RE3
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$0 $/ピース
SI2337DS-T1-GE3
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NTE2987
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$0 $/ピース
FDB8445
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NVTYS010N04CLTWG
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IRLHM620TRPBF
FDD6778A
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$0 $/ピース
SISA14BDN-T1-GE3
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$0 $/ピース
RF6E045AJTCR
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$0 $/ピース

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