ichome.comへようこそ!

logo

AOI4N60

AOI4N60

AOI4N60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

AOI4N60 データシート

非準拠

AOI4N60 価格と注文

単価 外貨価格
3,500 $0.38760 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 640 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W (Tc)
動作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251A
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SI3443DDV-T1-GE3
SI3443DDV-T1-GE3
$0 $/ピース
SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3
$0 $/ピース
IRLIZ14GPBF
IRLIZ14GPBF
$0 $/ピース
RRH040P03TB1
RRH040P03TB1
$0 $/ピース
IXTP96P085T
IXTP96P085T
$0 $/ピース
BSC057N03MSGATMA1
PSMN008-75B,118
PSMN008-75B,118
$0 $/ピース
FDA70N20
FDA70N20
$0 $/ピース
FQD60N03LTM

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。