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AOT5N100

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MOSFET N-CH 1000V 4A TO220

AOT5N100 データシート

compliant

AOT5N100 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.14444 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1150 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 195W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

SI3474DV-T1-GE3
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IXTH52P10P
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