ichome.comへようこそ!

logo

2N6761

2N6761

2N6761

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

2N6761 データシート

非準拠

2N6761 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 450 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3
パッケージ/ケース TO-204AA, TO-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FQA24N50F
FQA24N50F
$0 $/ピース
IRFR15N20DPBF
AOI2614
HUFA75321D3S
HUFA75321D3S
$0 $/ピース
FQP13N50
FQP13N50
$0 $/ピース
IRLR014NTR
IRLR014NTR
$0 $/ピース
IXFK27N80
IXFK27N80
$0 $/ピース
IRLR7807ZCTRRP
IPD50R650CEBTMA1
PHB101NQ04T,118
PHB101NQ04T,118
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。