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IPD50R650CEBTMA1

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MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

非準拠

IPD50R650CEBTMA1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.46666 -
5,000 $0.44612 -
12,500 $0.43144 -
25,000 $0.41971 -
62,500 $0.40796 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 13V
rds オン (最大) @ id、vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 150µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 342 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 47W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PHB101NQ04T,118
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$0 $/ピース
AUIRFS4610
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$0 $/ピース
RSS075P03TB1
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$0 $/ピース
SI7403BDN-T1-E3
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$0 $/ピース
NVMFS5834NLT3G
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$0 $/ピース
FDC642P-F085
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FQB13N10TM
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IRF6629TRPBF
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IRF3709L
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IRF3709SPBF
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