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FDD10AN06A0Q

FDD10AN06A0Q

FDD10AN06A0Q

1-ELEMENT, N-CHANNEL

非準拠

FDD10AN06A0Q 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.40000 $2.4
500 $2.376 $1188
1000 $2.352 $2352
1500 $2.328 $3492
2000 $2.304 $4608
2500 $2.28 $5700
1084 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1840 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 135W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IXFK420N10T
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DMN2310UTQ-7
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VN0109N3-G
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STP13N65M2
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RT1E050RPTR
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PJL9424_R2_00001
SIHH100N60E-T1-GE3
IRFZ48NSTRLPBF
C3M0075120J
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IXFK64N60Q3
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