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FDD8586

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MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA

FDD8586 データシート

非準拠

FDD8586 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
83625 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2480 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 77W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPS65R1K0CEAKMA1
BTS247ZE3062AATMA2
MGSF3455XT1
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$0 $/ピース
NVMYS2D2N06CLTWG
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$0 $/ピース
FQP20N06L
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$0 $/ピース
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PJC7439_R1_00001
STFW38N65M5
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$0 $/ピース
STL105N4LF7AG
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$0 $/ピース

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