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IPS65R1K0CEAKMA1

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MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251

非準拠

IPS65R1K0CEAKMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,500 $0.34320 -
1878 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 328 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 37W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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