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FDMS0312S

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FDMS0312S データシート

非準拠

FDMS0312S 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.25781 -
6,000 $0.24098 -
15,000 $0.23256 -
30,000 $0.22797 -
3814 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Ta), 42A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2820 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 46W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

IRF9520STRLPBF
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RF4E110GNTR
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FQD5N15TM
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DMTH6016LFDFWQ-7R
DMN10H099SK3-13
RSJ450N04TL
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$0 $/ピース
IRF740BPBF
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$0 $/ピース
BUK7E4R6-60E,127
IPB90N06S4L04ATMA2
BUK6E3R2-55C,127

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