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FQB5N50CTM

FQB5N50CTM

FQB5N50CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

compliant

FQB5N50CTM 価格と注文

単価 外貨価格
800 $0.87925 $703.4
1,600 $0.79849 -
2,400 $0.74800 -
5,600 $0.71267 -
5870 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 625 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 73W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMT615MLFV-13
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FQB44N10TM
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RJ1L12CGNTLL
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NTP30N06LG
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STB34N65M5
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STB155N3LH6
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FQA7N80
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BUK9E08-55B,127
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IXFK64N60P
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