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BUK9E08-55B,127

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NXP Semiconductors

NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,

非準拠

BUK9E08-55B,127 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.72000 $1.72
50 $1.37500 $68.75
100 $1.20300 $120.3
500 $0.93298 $466.49
1,000 $0.73656 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 75A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 5 V
vgs (最大) ±15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5280 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 203W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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