ichome.comへようこそ!

logo

FQB5N60CTM

FQB5N60CTM

FQB5N60CTM

4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2

SOT-23

非準拠

FQB5N60CTM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
1618 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 670 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SISS63DN-T1-GE3
SISS63DN-T1-GE3
$0 $/ピース
NP80N04NHE-S18-AY
BSC13DN30NSFDATMA1
IPD135N08N3GATMA1
RQ6E035SPTR
RQ6E035SPTR
$0 $/ピース
IXTX90N25L2
IXTX90N25L2
$0 $/ピース
APT41M80L
APT41M80L
$0 $/ピース
SIRA24DP-T1-GE3
SIRA24DP-T1-GE3
$0 $/ピース
RM8A5P60S8
RM8A5P60S8
$0 $/ピース
FDD6690S
FDD6690S
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。