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FQB85N06TM

FQB85N06TM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

FQB85N06TM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.31000 $1.31
500 $1.2969 $648.45
1000 $1.2838 $1283.8
1500 $1.2707 $1906.05
2000 $1.2576 $2515.2
2500 $1.2445 $3111.25
23961 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 85A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 42.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 112 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4120 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.75W (Ta), 160W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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