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FQPF19N20

FQPF19N20

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MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F

FQPF19N20 データシート

compliant

FQPF19N20 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.84408 -
12000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F-3
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

EPC2019
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$0 $/ピース
SIA4265EDJ-T1-GE3
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PMPB33XN,115
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BSC883N03MSG
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