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FQPF33N10

FQPF33N10

FQPF33N10

MOSFET N-CH 100V 18A TO220F

FQPF33N10 データシート

compliant

FQPF33N10 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.88867 -
1195 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1500 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 41W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F-3
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

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PSMN1R1-30EL,127
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