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FQU1N80TU

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MOSFET N-CH 800V 1A I-PAK

FQU1N80TU データシート

compliant

FQU1N80TU 価格と注文

単価 外貨価格
5,040 $0.39089 -
983 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 195 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

CSD16404Q5A
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$0 $/ピース
IRLU110PBF
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$0 $/ピース
IRFZ40PBF-BE3
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IRF6644TRPBF
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IXTK550N055T2
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$0 $/ピース
2N7002K-7
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IPP80R1K4P7XKSA1
MCM1208-TP
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$0 $/ピース
STP25N60M2-EP
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$0 $/ピース
SQJ158EP-T1_GE3
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$0 $/ピース

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