ichome.comへようこそ!

logo

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8

compliant

SQJ158EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.28476 -
6,000 $0.26628 -
15,000 $0.25704 -
30,000 $0.25200 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 33mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SIR618DP-T1-GE3
SIR618DP-T1-GE3
$0 $/ピース
FDD8453LZ-F085
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/ピース
IPW60R160C6FKSA1
TSM126CX RFG
IPI030N10N3GXKSA1
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/ピース
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/ピース
APT40N60JCU3
APT40N60JCU3
$0 $/ピース
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。