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HUF76409D3ST

HUF76409D3ST

HUF76409D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

HUF76409D3ST 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
211350 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 485 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 49W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-3 (DPAK)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SI2333DS-T1-GE3
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SQJA84EP-T1_BE3
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IRFP4004PBF
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BSH205G2AR
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FDD8782
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IXTH50P10
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SIDR668DP-T1-RE3
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PJA3415A_R1_00001
NVMFS4C302NT1G
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SI2338DS-T1-BE3
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