ichome.comへようこそ!

logo

SIDR668DP-T1-RE3

SIDR668DP-T1-RE3

SIDR668DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR668DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.11000 $3.11
500 $3.0789 $1539.45
1000 $3.0478 $3047.8
1500 $3.0167 $4525.05
2000 $2.9856 $5971.2
2500 $2.9545 $7386.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23.2A (Ta), 95A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 108 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5400 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

PJA3415A_R1_00001
NVMFS4C302NT1G
NVMFS4C302NT1G
$0 $/ピース
SI2338DS-T1-BE3
SI2338DS-T1-BE3
$0 $/ピース
BSC0805LSATMA1
SIHB22N60AE-GE3
SIHB22N60AE-GE3
$0 $/ピース
SQJ402EP-T1_GE3
SQJ402EP-T1_GE3
$0 $/ピース
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/ピース
P3M12160K3
APT6029BLLG
APT6029BLLG
$0 $/ピース
TK380P65Y,RQ

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。