ichome.comへようこそ!

logo

IRF122

IRF122

IRF122

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF122 データシート

compliant

IRF122 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
1790 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3
パッケージ/ケース TO-204AA, TO-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

DMN4020LFDE-7
DMN4020LFDE-7
$0 $/ピース
NTLJS4114NT1G
NTLJS4114NT1G
$0 $/ピース
SIR680DP-T1-RE3
SIR680DP-T1-RE3
$0 $/ピース
SQD50N06-09L_GE3
SQD50N06-09L_GE3
$0 $/ピース
STF15N65M5
STF15N65M5
$0 $/ピース
SI4812BDY-T1-GE3
SI4812BDY-T1-GE3
$0 $/ピース
STP5N60M2
STP5N60M2
$0 $/ピース
SIRS700DP-T1-RE3
SIRS700DP-T1-RE3
$0 $/ピース
FDMC86324
FDMC86324
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。