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IRF632

IRF632

IRF632

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF632 データシート

compliant

IRF632 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.30000 $1.3
500 $1.287 $643.5
1000 $1.274 $1274
1500 $1.261 $1891.5
2000 $1.248 $2496
2500 $1.235 $3087.5
22035 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

RFD4N06L
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DMN2710UWQ-7
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PJF6NA70_T0_00001
NTNS3CS94NZT5G
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RFD16N02L
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