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IRF710B

IRF710B

IRF710B

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF710B データシート

compliant

IRF710B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.17000 $0.17
500 $0.1683 $84.15
1000 $0.1666 $166.6
1500 $0.1649 $247.35
2000 $0.1632 $326.4
2500 $0.1615 $403.75
31593 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 400 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 330 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 36W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

IRFR214PBF-BE3
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BSO065N03MSGXUMA1
DMTH10H015LK3-13
NTMFS5C670NT1G
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$0 $/ピース
BUK653R2-55C,127
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$0 $/ピース
STP14NM50N
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$0 $/ピース
IRL60HS118
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SQP120N10-3M8_GE3
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NTMTS4D3N15MC
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