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IRL60HS118

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MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN

compliant

IRL60HS118 価格と注文

単価 外貨価格
4,000 $0.43697 -
8,000 $0.41004 -
12,000 $0.39658 -
28,000 $0.38923 -
7407 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 10µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 660 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 11.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 6-PQFN (2x2)
パッケージ/ケース 6-VDFN Exposed Pad
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