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IRF730

IRF730

IRF730

Harris Corporation

N-CHANNEL, MOSFET

IRF730 データシート

compliant

IRF730 価格と注文

単価 外貨価格
2,000 $0.47740 -
24825 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 400 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 530 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

SQW33N65EF-GE3
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$0 $/ピース
SIHU2N80AE-GE3
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RJK5030DPD-03#J2
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$0 $/ピース
R8002ANJGTL
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$0 $/ピース
RJK0703DPP-A0#T2
SIHD14N60ET4-GE3
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$0 $/ピース
IAUT300N10S5N014ATMA1
UJ4C075033K3S
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$0 $/ピース
DMT2004UFG-13
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$0 $/ピース
NTTFS6H854NTAG
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$0 $/ピース

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