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IRF831

IRF831

IRF831

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF831 データシート

compliant

IRF831 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.20000 $1.2
500 $1.188 $594
1000 $1.176 $1176
1500 $1.164 $1746
2000 $1.152 $2304
2500 $1.14 $2850
1610 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 450 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 75W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

NVMFS6H864NLWFT1G
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BSP135IXTSA1
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NX2020P1115
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SQR40030ER_GE3
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IXFQ8N85X
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IRFR220TRPBF-BE3
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NVMYS003N08LHTWG
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