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IRF841

IRF841

IRF841

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF841 データシート

compliant

IRF841 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.94000 $0.94
500 $0.9306 $465.3
1000 $0.9212 $921.2
1500 $0.9118 $1367.7
2000 $0.9024 $1804.8
2500 $0.893 $2232.5
800 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 450 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 850mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1225 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

SPP03N60S5XKSA1
DMT10H009LCG-7
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DMNH6069SFVWQ-7
SIHB11N80AE-GE3
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$0 $/ピース
TK25V60X,LQ
DMP6250SFDF-13
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$0 $/ピース
R6030JNXC7G
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$0 $/ピース
IRF820
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$0 $/ピース
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SIL3400A-TP
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