ichome.comへようこそ!

logo

IRF9630

IRF9630

IRF9630

Harris Corporation

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB

IRF9630 データシート

compliant

IRF9630 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.31000 $1.31
500 $1.2969 $648.45
1000 $1.2838 $1283.8
1500 $1.2707 $1906.05
2000 $1.2576 $2515.2
2500 $1.2445 $3111.25
28718 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 800mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 700 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 74W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

RS1E130GNTB
RS1E130GNTB
$0 $/ピース
PJP6NA90_T0_00001
RJK60S4DPP-E0#T2
AO3422
SISS67DN-T1-GE3
SISS67DN-T1-GE3
$0 $/ピース
STB28N60M2
STB28N60M2
$0 $/ピース
SIHB12N50E-GE3
SIHB12N50E-GE3
$0 $/ピース
BSB165N15NZ3GXUMA1
2SK3367-AZ
SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。