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BSB165N15NZ3GXUMA1

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MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON

compliant

BSB165N15NZ3GXUMA1 価格と注文

単価 外貨価格
5,000 $1.70467 -
17058 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 8V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 16.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 110µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2800 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース 3-WDSON
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関連部品番号

2SK3367-AZ
SI7850DP-T1-GE3
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FQB8N60CTM
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SIR876BDP-T1-RE3
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