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SIR876BDP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

compliant

SIR876BDP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.37000 $1.37
500 $1.3563 $678.15
1000 $1.3426 $1342.6
1500 $1.3289 $1993.35
2000 $1.3152 $2630.4
2500 $1.3015 $3253.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3040 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

NVTFS4C25NTAG
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IXTH52N65X
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STP75N3LLH6
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