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IRFF223

IRFF223

IRFF223

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF223 データシート

非準拠

IRFF223 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.07000 $1.07
500 $1.0593 $529.65
1000 $1.0486 $1048.6
1500 $1.0379 $1556.85
2000 $1.0272 $2054.4
2500 $1.0165 $2541.25
1395 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 450 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 20W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-205AF (TO-39)
パッケージ/ケース TO-205AF Metal Can
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関連部品番号

R6507KND3TL1
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$0 $/ピース
FCP260N60E
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SIHG44N65EF-GE3
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$0 $/ピース
IXTH3N120
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PJA3409-AU_R1_000A1
SI7884BDP-T1-GE3
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SSM3J331R,LF
SI2101A-TP
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$0 $/ピース
UPA2710GR-E2-A
TSM085P03CV RGG

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