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IRFW530ATM

IRFW530ATM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

IRFW530ATM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
2166 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 110mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 790 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

CSD16327Q3
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$0 $/ピース
STF10N60DM2
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FQB4N80TM
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DMN3028L-13
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STW14NK50Z
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IXFX100N65X2
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SIDR570EP-T1-RE3
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PSMN8R7-100YSFX
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PJA3415_R1_00001
STP27N60M2-EP
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