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IRFW820BTM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

IRFW820BTM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
1574 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 610 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 49W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

RTQ025P02HZGTR
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$0 $/ピース
IXTH80N65X2
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NTMFS5C410NLTT1G
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2N7000-D75Z
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DMP3085LSS-13
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IRF830B
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STK820
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SQP25N15-52_GE3
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NTMS7N03R2
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