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IRF830B

IRF830B

IRF830B

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF830B データシート

非準拠

IRF830B 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
9803 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1050 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 73W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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