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RFD14N06

RFD14N06

RFD14N06

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD14N06 データシート

compliant

RFD14N06 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.57000 $0.57
500 $0.5643 $282.15
1000 $0.5586 $558.6
1500 $0.5529 $829.35
2000 $0.5472 $1094.4
2500 $0.5415 $1353.75
3664 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 40 nC @ 20 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 570 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 48W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I-PAK
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

DMTH6012LPSWQ-13
2SJ143(04)-S6-AZ
NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG
$0 $/ピース
RJK1002DPP-A0#T2
FDC699P
FDC699P
$0 $/ピース
MCU20N10-TP
MCU20N10-TP
$0 $/ピース
DMT34M2LPS-13
DMT34M2LPS-13
$0 $/ピース
RQ3E180BNTB1
RQ3E180BNTB1
$0 $/ピース
APTM100UM65DAG
R6024KNXC7G
R6024KNXC7G
$0 $/ピース

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