ichome.comへようこそ!

logo

SSI4N60BTU

SSI4N60BTU

SSI4N60BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

SSI4N60BTU 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
50126 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 920 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.13W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

PSMN3R5-80PS,127
PSMN3R5-80PS,127
$0 $/ピース
SIHA22N60E-GE3
SIHA22N60E-GE3
$0 $/ピース
FDMS7692
FDMS7692
$0 $/ピース
IRFD210PBF
IRFD210PBF
$0 $/ピース
PJW5N10-AU_R2_000A1
IXFN82N60P
IXFN82N60P
$0 $/ピース
SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
$0 $/ピース
FDS2582
FDS2582
$0 $/ピース
IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M
$0 $/ピース
2SK1526-E

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。