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DMG1012T-7

DMG1012T-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

compliant

DMG1012T-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.06006 -
6,000 $0.05280 -
15,000 $0.04554 -
30,000 $0.04312 -
75,000 $0.04070 -
150,000 $0.03586 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 630mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.74 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±6V
入力容量(ciss)(最大)@vds 60.67 pF @ 16 V
FET機能 -
消費電力(最大) 280mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-523
パッケージ/ケース SOT-523
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関連部品番号

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