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DMN1014UFDF-13

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN

非準拠

DMN1014UFDF-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.10763 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 16mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.4 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 515 pF @ 6 V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type F)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
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