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DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

compliant

DMN1019UVT-13 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.13104 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.2V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 800mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50.4 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2588 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.73W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TSOT-26
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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関連部品番号

DMTH10H025SK3-13
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NTD18N06T4G
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NTMFSC004N08MC
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