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DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

compliant

DMN2005UFGQ-7 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.43582 $0.43582
500 $0.4314618 $215.7309
1000 $0.4271036 $427.1036
1500 $0.4227454 $634.1181
2000 $0.4183872 $836.7744
2500 $0.414029 $1035.0725
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 164 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6495 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.05W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

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BUK9Y2R4-40HX
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STHU32N65DM6AG
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