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DMN2011UFDE-7

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

非準拠

DMN2011UFDE-7 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.28271 -
6,000 $0.26539 -
15,000 $0.25673 -
30,000 $0.25200 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2248 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 610mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース 6-PowerUDFN
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