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DMN2300UFB-7B

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN

compliant

DMN2300UFB-7B 価格と注文

単価 外貨価格
10,000 $0.10249 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.32A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 175mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 950mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.89 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 67.62 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 468mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ X1-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-UFDFN
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