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DMN2310UTQ-13

DMN2310UTQ-13

DMN2310UTQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

compliant

DMN2310UTQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.06477 $0.06477
500 $0.0641223 $32.06115
1000 $0.0634746 $63.4746
1500 $0.0628269 $94.24035
2000 $0.0621792 $124.3584
2500 $0.0615315 $153.82875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.2A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 240mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 950mV @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 38 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 290mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-523
パッケージ/ケース SOT-523
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