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SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK

compliant

SIS108DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.43445 $0.43445
500 $0.4301055 $215.05275
1000 $0.425761 $425.761
1500 $0.4214165 $632.12475
2000 $0.417072 $834.144
2500 $0.4127275 $1031.81875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.7A (Ta), 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 34mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 545 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

IPP60R385CPXKSA1
RSF010P03TL
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FQD13N10TM
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UJ4C075023K4S
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$0 $/ピース
DMN2046U-7
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$0 $/ピース
R6006ANDTL
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2N7002NXBKR
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PXN010-30QLJ
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