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STD1HN60K3

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

compliant

STD1HN60K3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.51381 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 140 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 27W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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