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GT105N10F

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N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

GT105N10F データシート

非準拠

GT105N10F 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
70 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10.5mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 20.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

RM130N100HD
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DMN2400UFD-7
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PJQ4416EP_R2_00001
DMN601K-7
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SI2371EDS-T1-BE3
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FDD5N50TM-WS
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NTD3817NT4G
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SIHP11N80E-BE3
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