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DMN6010SCTBQ-13

DMN6010SCTBQ-13

DMN6010SCTBQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

compliant

DMN6010SCTBQ-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.87456 $1.87456
500 $1.8558144 $927.9072
1000 $1.8370688 $1837.0688
1500 $1.8183232 $2727.4848
2000 $1.7995776 $3599.1552
2500 $1.780832 $4452.08
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 128A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2692 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 312W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB (D²PAK)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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